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碳化硅單晶拋光片襯底制備清洗

碳化硅粉清洗：
探花硅粉在生產(chǎn)過程中需要經(jīng)過清洗和除塵工藝，往碳化硅粉中加入純水后，進行人工攪拌，待攪拌至達到水洗要求后經(jīng)過超聲波漂洗，超聲波漂洗人工撈至石英托盤中，再長時間烘干即可。

晶體生長：
在2,300°C以上高溫、接近真空的低壓下加熱碳化硅粉料，使其升華產(chǎn)生包含Si、Si2C、SiC2等不同氣相組分的反應(yīng)氣體，通過固氣反應(yīng)產(chǎn)生碳化硅單晶反應(yīng)源；由于固相升華反應(yīng)形成的Si、C成分的氣相分壓不同，Si/C化學(xué)計量比隨熱場分布存在差異，需要使氣相組分按照設(shè)計的熱場和溫梯進行分布和傳輸，使組分輸運至生長腔室既定的結(jié)晶位置；

晶錠加工：
將碳化硅晶錠使用X射線單晶定向儀進行定向，之后通過精密機械加工的方式磨平、滾圓，加工成標(biāo)準(zhǔn)直徑尺寸和角度的碳化硅晶棒。對所有成型晶棒進行尺寸、角度等指標(biāo)檢測。

晶棒切割：
在考慮后續(xù)加工余量的前提下，使用金剛石細(xì)線將碳化硅晶棒切割成滿足客戶需求的不同厚度的切割，并使用全自動測試設(shè)備進行翹曲度（Warp）、彎曲度（Bow）、厚度變化（TTV）等面型檢測。

切割片研磨：
通過自有工藝配方的研磨液將切割片減薄到相應(yīng)的厚度，并且消除表面的線痕及損傷。使用全自動測試設(shè)備及非接觸電阻率測試儀對全部切割片進行面型及電學(xué)性能檢測。

研磨片拋光：
通過配比好的拋光液對研磨片進行機械拋光和化學(xué)拋光，用來消除表面劃痕、降低表面粗糙度及消除加工應(yīng)力等，使研磨片表面達到納米級平整度。使用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、表面平整度測試儀、表面缺陷綜合測試儀等儀器設(shè)備，檢測碳化硅拋光片的各項參數(shù)指標(biāo)，據(jù)此判定拋光片的質(zhì)量等級。

拋光片清洗：
在百級超凈間內(nèi)，通過特定配比的化學(xué)試劑及去離子水對清洗機內(nèi)的拋光片進行清洗（建議輔助超聲波清洗機清洗）去除拋光片表面的微塵顆粒、金屬離子、有機沾污物等，離心甩干封裝在潔凈片盒內(nèi)，形成可供客戶開盒即用的碳化硅襯底。

超聲兆聲波清洗設(shè)備

科力超聲可以提供25-200KHz超聲波清洗設(shè)備，超聲波振板，超聲波發(fā)生器以及頻率950KHz的兆聲清洗設(shè)備，兆赫茲級別的超高頻超聲波有更高的清洗精度，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體清洗、顯影、除膠、刻蝕等領(lǐng)域。極低的超聲空化效應(yīng)，不會對器件表面造成損傷超高清洗精度高防腐性，可耐各種酸堿溶液及有機溶劑。